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产品中心 - 光电二极管

Ф3mm超大靶面，300-1000nm响应范围，355nm紫外增强，硅基雪崩光电探测器；适合用于荧光探测，超弱光探测等应用场景。

Ф3mm 300-1000nm 硅雪崩光电二极管 355nm紫外增强

GY-PD-1000-E-TO46光电二极管通过将光功率转换为电流，是测量脉冲和连续光纤光源的理想选择。

1mm 900-2600nm 长波长 InGaAs光电探测器二极管 TO46

InGaAs材料的APD雪崩光电探测器，光敏面200um 相应波长950-1700nm 1550nm峰值，裸片die 或 TO封装。

200um 950-1700nm APD光电探测器雪崩二极管 TO46封装 裸片die

该款探测芯片类型为APD，光敏直接500um，材料InGaAs，波长950-1700nm，可TO46封装；适合用于激光雷达，距离测量，弱光探测等场景。

500um 950-1700nm APD光电探测芯片 TO46封装 裸Die

光敏直径为1000um的APD雪崩光电探测器芯片，相应波长950-1700nm，默认采用TO46封装，适合用于激光雷达，弱光探测等场景。

1mm 950-1700nm APD雪崩光电探测 TO46封装 裸片

GY-APD-50-PF-M(62.5-125)是一款铟镓砷雪崩光电二极管(APD)，适用于多种光纤通信和光电探测应用。该器件的光敏区直径为50微米，并且采用了50AR的抗反射涂层来最小化光的反射并增加透过率。

1100-1650nm InGaAs APD光电探测器 尾纤封装 多模62.5/125

GY-APD-50-PF-S是一种铟镓砷雪崩光电二极管，专为高性能光通信和光电探测设计。这种APD管子具有50微米的光敏面积，具有2G的带宽。

1100-1650nm 50um InGaAs APD雪崩光电二极管 单模尾纤

GY-APD-200-PF-M是一款带有FC型光纤法兰的光电探测器，多模200/220尾纤封装。

950-1650nm InGaAs APD光电二极管 尾纤 多模200/220

GY-PD-70-BGS正方形是一款PIN光电二极管（Photodiode），专门设计用于在近红外波段提供高灵敏度的光探测。

1100-1650nm InGaAs 光电二极管PD 正方形FC法兰

GY-PD-80-B是一款带有FC型光纤法兰的光电探测器。这种探测器通常用于光纤通信系统中，用于接收和放大通过光纤传输的光信号。

1100-1680nm InGaAs 80um PIN光电二极管 FC型长方形法兰

400-1100nm Si硅光电二极管 多模光纤(62.5/125)封装 FC/APC接头

400-1100nm Si硅光电二极管 多模光纤(62.5/125)封装 FC/APC接头

GY-SI-APD-800-TO46是一款硅基可见光波段，1064nm增强的雪崩光电二极管， 非常适合用于1064nm光探测。

Si APD 400-1100nm 光电二极管 800μm 1064nm增强

器件为硅雪崩光电二极管，光谱响应范围从可见光到近红外，峰值响应波长905nm。

230/500um 400～1100nm 硅雪崩光电二极管 峰值905nm TO46

400-1100nm 硅基PIN光电二极管 长方形FC法兰

400-1100nm 硅基PIN光电二极管 长方形FC法兰

一款硅基高速光电探测器， 正方形法兰封装

Si 400-1100nm 光电二极管 正方形FC法兰


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