光敏直径为1000um的APD雪崩光电探测器芯片,相应波长950-1700nm,默认采用TO46封装,适合用于激光雷达,弱光探测等场景。
特性参数 Parameter | 符号 Symbol | 测试条件 Test Condition | 最小 Min. | 典型 Typ. | 最大 Max. | 单位 Unit |
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Active Area | Φ | 1000 | um | |||
光谱响应范围 Response Spectrum | λ | —— | 950 ~ 1700 | nm | ||
响应度 Responsivity | Re | λ=1550nm Pin=1 μW, M=1 | 0.70 | —— | —— | A/W |
倍增因子 Multiplication factor | M | λ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-3 | 10.00 | —— | —— | —— |
倍增因子 Multiplication factor | M | λ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-2 | 20.00 | —— | —— | —— |
倍增因子 Multiplication factor | M | λ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-1 | 30.00 | —— | —— | —— |
暗电流 Dark Current | Id | VR=VBR-3, Pin=0μW | —— | 80.00 | 150.00 | nA |
-3dB 截止频率 -3dB cut-off frequency | BW | M=10 RL=50Ω | 0.09 | 0.25 | —— | GHz |
反向击穿电压 Reverse Breakdown Voltage | VBR | IR =10μA, Pin=0μW | 40.00 | —— | 60.00 | V |
电容 Capacitance | C | VR=VBR-3, f=1MHz | —— | 20.00 | 30.00 | pF |
击穿电压温度系数 Temperature coefficient of VBR | γ | R=10μA, Pin=0μW -55℃~+85℃ | 0.12 | 0.15 | 0.18 | V/℃ |