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1100-1650nm 50um InGaAs APD雪崩光电二极管单模尾纤

产品概述：

GY-APD-50-PF-S是一种铟镓砷雪崩光电二极管，专为高性能光通信和光电探测设计。这种APD管子具有50微米的光敏面积，具有2G的带宽。

关键词： APD Photodiode

产品型号：GY-APD-50-PF-S

技术支持：黄工 13427781756 (微信同号，可扫码）

Email: huangqianyuan@glgyzn.com

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产品介绍

GY-APD-50-PF-S是一种铟镓砷雪崩光电二极管，专为高性能光通信和光电探测设计。这种APD管子具有50微米的光敏面积，具有2G的带宽。

参数名称	符号	最小	最大	单位
工作温度	Top	-40	+85	⁰C
贮存温度	TSTG	-40	+85	⁰C
正向电流	IF	——	5	mA
反向电流	VR	——	45	V

特性参数	符号	测试条件	最小	典型	最大	单位
工作波长	λ	——	1100	——	1650	nm
雪崩电压	VBR	——	——	40	45	V
响应度	R	VR=5V, λ=1310nm	0.70	0.80	——	A/W
暗电流	Id	φe=0μW	——	1	10	nA
响应时间	Rt	λ=1310nm, M=10 Rj=50Ω	——	0.30	0.50	ns
带宽	BW	M=10, Rj=50Ω	2.0	——	——	GHz
结电容	C	M=10,φe=1μW, f=1MHz	——	0.60	1.0	pF
光回波损耗	RL	λ=1310nm	40	——	——	dB