< >

1100-1650nm InGaAs APD光电探测器尾纤封装多模62.5/125

产品概述：

GY-APD-50-PF-M(62.5-125)是一款铟镓砷雪崩光电二极管(APD)，适用于多种光纤通信和光电探测应用。该器件的光敏区直径为50微米，并且采用了50AR的抗反射涂层来最小化光的反射并增加透过率。

关键词： 光电二极管

产品型号：GY-APD-50-PF-M

技术支持：黄工 13427781756 (微信同号，可扫码）

Email: huangqianyuan@glgyzn.com

由于产品的规格型号参数太多，所以页面上没有您要找的参数，并不代表我们没有相应的产品；添加微信，直接问吧这样更高效！

产品介绍

GY-APD-50-PF-M(62.5-125)是一款铟镓砷雪崩光电二极管(APD)。该器件的光敏区直径为50微米，并且采用了50AR的抗反射涂层来最小化光的反射并增加透过率。

参数名称	符号	最小	最大	单位
工作温度	Top	-40	+85	⁰C
贮存温度	TSTG	-40	+85	⁰C
正向电流	IF	——	5	mA
反向电流	VR	——	45	V

特性参数	符号	测试条件	最小	典型	最大	单位
工作波长	λ	——	1100	——	1650	nm
雪崩电压	VBR	——	——	40	45	V
响应度	R	Vr=5V, λ=1310nm	0.70	0.80	——	A/W
暗电流	Id	φe=0μW	——	1	10	nA
结电容	C	M=10,φe=0μW, f=1MHz	——	0.6	1.0	pF
响应时间	RT	λ=1310nm, M=10,Rj=50Ω	——	0.3	0.5	ns
带宽	BW	M=10, Rj=50Ω	2.0	——	——	GHz