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200um 950-1700nm APD光电探测器雪崩二极管 TO46封装 裸片die
产品概述：InGaAs材料的APD雪崩光电探测器，光敏面200um 相应波长950-1700nm 1550nm峰值，裸片die 或 TO封装。
产品型号：GY-APD-200-TO46
规格书： 点击下载
技术支持：黄工 13427781756 (微信同号，可扫码）
Email: huangqianyuan@glgyzn.com
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产品介绍
型号：GY-APD-200-TO46，响应波长：950-1700nm，InGaAs Φ 200μm APD光电探测器芯片
应用 Applications
- 距离测量
- 空间光传输
- 光时域反射计
- 低光级探测
光电性能 Electro-Optical Characteristics （@ Tc=22±3℃）
| 特性参数 Parameter | 符号 Symbol | 测试条件 Test Condition | 最小 Min. | 典型 Typ. | 最大 Max. | 单位 Unit |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 光谱响应范围 Response Spectrum | λ | —— | 950 ~ 1700 | nm | ||
| 响应度 Responsivity | Re | λ=1550nm Pin=1μW, M=1 | 0.90 | 1.00 | —— | A/W |
| 倍增因子 Multiplication factor | M | λ=1550nm Pin=1μW, VR=VBR-3 | 10.00 | —— | —— | —— |
| 倍增因子 Multiplication factor | M | λ=1550nm Pin=1μW, VR=VBR-1 | 30.00 | —— | —— | —— |
| 暗电流 Dark Current | Id | VR=VBR-3, Pin=0μW | —— | 8.00 | 50.00 | nA |
| -3dB 截止频率 -3dB cut-off frequency | BW | M=10 RL=50Ω | 0.60 | 1.25 | —— | GHz |
| 反向击穿电压 Reverse Breakdown Voltage | VBR | IR =10μA, Pin=0μW | 35.00 | —— | 50.00 | V |
| 电容 Capacitance | C | VR=VBR-3, f=1MHz | —— | 1.80 | 2.00 | pF |
| 击穿电压温度系数 Temperature coefficient of VBR | γ | R=10μA, Pin=0μW -55℃～+85℃ | 0.05 | 0.11 | 0.15 | V/℃ |
封装图
实拍图片
客户名录
- 西北工业大学
- 南京大学
- 东南大学
- 厦门大学
- 北京交通大学
- 广东工业大学
- 广西大学
- 南昌航空大学
- 广西科技大学
- 山西大学光电研究所
- 中国科学技术大学
- 清华大学
- 北京大学
- 哈尔冰工程大学
- 徐州医科大学
- 山东大学
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