一款硅基高速光电探测器, 正方形法兰封装
一款硅基高速光电探测器。
参数名称 | 符号 | 最小 | 典型值 | 最大 | 单位 |
---|---|---|---|---|---|
饱和光功率 | Ps | —— | 5 | —— | mW |
正向电流 | IF | —— | —— | 5 | mA |
反向电压 | Vr | —— | 5 | 15 | V |
工作温度 | TOP | -40 | —— | +85 | ⁰C |
贮存温度 | TSTG | -40 | —— | +85 | ⁰C |
引脚敢接(温度/时间) | —— | —— | 260/10 or 360/5 | —— | ℃/Sec |
特性参数 | 符号 | 测试条件 | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
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活动区域 | φ | —— | —— | 200 | —— | μm |
工作波长 | λ | —— | 400 | —— | 1100 | nm |
响应度 | Res | Vr=10V,λ=405nm | 0.17 | —— | —— | A/W |
Vr=10V,λ=650nm | 0.30 | —— | —— | |||
Vr=10V,λ=850nm | 0.46 | —— | —— | |||
Vr=10V,λ=1064nm | 0.08 | —— | —— | |||
暗电流 | Id | Vr=10V | —— | 0.1 | 1.0 | nA |
反向击穿电压 | VBR | I=10μA | —— | —— | 60 | V |
结电容 | C | Vr=10V,f=1MHz | —— | —— | 1.0 | pF |
响应时间 | TR | Vr=10V,50Ω | —— | —— | 150 | pS |
带宽(-3dB) | Bw | Vr=10V,50Ω | —— | 2.5 | —— | GHz |
分流电阻 | RSH | Vr=10mV | —— | —— | 100 | GΩ |