SOA半导体光放大器主要应用于1550nm波长的光放大,能显著提高输出光功率,替代AOM或者部分替代EDFA。
产品特点:
产品应用:
产品规格:
Parameters | Symbols | Conditions | Min. | Type. | Max. | Unit |
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工作波长 | λ | --- | 1490 | 1515 | 1590 | nm |
带宽 | Δλ | @-3dB | 55 | --- | 60 | nm |
饱和光功率 | Psat | If=250mA | 12 | --- | 15 | dBm |
小信号增益 | G | If=250mAPin=-25dBm | 25 | 30 | dB | |
工作电流 | If | 250 | 400 | mA | ||
正向电压 | Vf | 1.8 | V | |||
消光比 1 | ER1 | If=250mA/If=0mAPin=0dBm | 50 | dB | ||
消光比 2 | ER2 | If=250mA/If=-0.4mAPin=0dBm | 65 | dB | ||
TEC 电流 | ITEC | 1.8 | A | |||
TEC 电压 | VTEC | 3.4 | V | |||
偏振相关增益 | PDG | 1.5 | 2.0 | dB | ||
热敏电阻阻值 | Rtherm | T=25℃ | 9.5 | 10 | 10.5 | KΩ |
热敏电阻电流 | Itherm | 5 | mA | |||
气密性 1 | T=25℃ | 1*10^-12 | 1*10^-11 | 1*10-8 | Pa.m3 /s | |
工作温度 | TC | I=Iop | -10 | 70 | °C | |
存储温度 | Tstg | 85 | °C | |||
总功耗 | P | 4 | W |
注 1:气密性数值为管壳封装数值,排除管壳外部残留干扰测试得出。
典型曲线:
尺寸及管脚定义: