PIN与APD光电探测器有什么区别？

结构及原理上的区别

PD：光电二极管（ Photo Diode），当半导体中的PN结受到光照射，且入射光能量高于光电二极管的带隙能时，会产生电子和空穴，其中在内部电场的驱动下，电子和空穴按相反方向各自移动，形成了光电流。

APD：雪崩光电二极管（Avalanche Photo Diode），APD的光电流和PD的光电流产生机制相同，通过给PN结施加反向电压，光生载流子碰撞晶格，发生电离，产生新的电子空穴对，类似于“雪崩”效应（即光电流成倍地激增的现象）。

封装上的区别

直接PD或APD裸片我们不方便使用，通常我们会把裸片做成TO封装，或者尾纤封装。以TO46来举例说，封装好之后，从外观上我们是无法分辨这块管子是PD还是APD的。因为外观几乎一致。

               光电二极管

性能及应用场景的区别

由于PD的结构简单，不需要高压，对温度的适应性更好。而APD结构相比PD来说要复杂，需要高压，温度影响对APD的性能影响很大，但APD的雪崩倍增效应使得APD具有高的灵敏度，可以探测微弱的光。因此我们根据探测的光的强弱，可以进行倾向性的选择。在日常的应用场景中，我们通常都还需要搭配外围电路以完成我们的探测需求。（或者直接用光电探测器的模块），我们根据我们的探测光功率大小，然后根据带宽增益要求选择合适的光电探测器模块。比如说我们探测mW级别，uW级别的光功率也许PIN型光电探测器就足以满足需求，而要探测nW级别的光功率，同时还需要不低的带宽则需要APD光电探测器。

如果您的探测光功率刚好在uW，然后有一款PIN光电探测器能满足需求，同时也有APD的光电探测器能满足需求，建议选择PIN型的光电探测器，因为它结构简单，对温度适应性更好，更能适应严苛的工况。

             PIN光电探测器                     APD光电探测器

价格的区别

通常PIN型（PD）的光电探测器价格会比APD的光电探测价格要便宜一些。