光电二极管有那几种类型？

光电二极管同样基于ＰＮ结的光伏效应，与光电池相比， 主要特点是结区面积小，通常工作与反偏置状态。其内建 电场很强，结区较宽，结电容小，所以频率特性比光电池 好，但光电流比光电池的小，一般多在微安级。这类器件 可用硅，锗，砷化铟，碲镉汞等材料制作，目前应用最多 的是硅光电二极管。

种类 1）PN结光电二极管 ２）PIN结光电二极管 3）雪崩光电二极管（APD）

PN结光电二极管

按光敏面和衬底材料所用的材料不同，分为2CU和2DU两种系 列。 2DU系列光敏面为N型硅，衬底为P型硅，2CU系列相反。 2DU系列有三条引出线，除了前极、后极外，还设了一个环极 （减少暗电流和噪声，提高探测能力）。2CU系列两个引出 线。

PIN型光电二极管

PN结型光电二极管响应时间只能达到 ，满足不了光纤系 统的响应时间要求（ ），PIN结型光电二激光就是为满足 这一要求而研制。 PIN光电二极管（快速光电二极管），与PN结光电二极管相 比，具有更快的响应时间，并使光谱响应范围向长波方向移 动，其峰值波长可移至1.04~1.06 ，与YAG激光器的发射波 长相对应。

雪崩二极管(APD:Avalanche Photodiode)

由于普通光电二极管产生的电流微弱，进行放大和处理时会引 入放大器噪声，雪崩光电二极管就是为解决这一问题而产生。 雪崩光电二极管（APD）是利用光生载流子在高电场区内的雪 崩效应而获得光电增益，产生较大的输出电流，具有灵敏高， 响应快等优点。在光纤通信、激光测距及光纤传感等系统中得 到了广泛应用。 APD的性能与入射光功率有关，在实际探测系统中，当入射光 功率较小时，多采用APD，此时雪崩增益引起的噪声贡不大。 当入射光功率较大时，雪崩增益引起的噪声贡献占主要优势， 并可能带来光电流失真，采用PIN管更为恰当。