APD430T系列雪崩光电探测器是高增益系列的空间光光电探测器,集成了热敏电阻,可调节偏置电压,以补偿温度变化对M因子产生的影响。除了温度补偿之外,选配可调增益的版本可通过外壳背面的电位器调节二极管两端的反向偏置电压,以改变M因子。
| 型号 | APD430A-10M-T | APD430A-50M-T | APD430A-200M-T | APD430A-400M-T |
|---|---|---|---|---|
| 材料 | Si | |||
| 波长范围 | 400-1100nm | |||
| 光敏区域直径 | 500um | 230um | ||
| 响应度 | 0.55A/W @ 850nm (M = 1) | |||
| 带宽a | DC-10MHz | DC-50MHz | DC-200MHz | DC-400MHz |
| 上升时间a | 40ns | 8ns | 2ns | 1ns |
| 增益b | 4.0x107V/W | 8.0x106V/W | 2.4x106V/W | 1.0x106V/W |
| 饱和光功率 | 80nW | 0.43uW | 1.2uW | 2.9uW |
| 噪声电压a | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp |
| 最大输出电压b | 3.2V | 3.2V | 3.2V | 3.2V |
| 噪声等效功率 | 0.07pW/√Hz | 0.12pW/√Hz | 0.15pW/√Hz | 0.30pW/√Hz |
| 型号 | APD430C-10M-T | APD430C-50M-T | APD430C-200M-T | APD430C-400M-T |
|---|---|---|---|---|
| 材料 | InGaAs | |||
| 波长范围 | 1000-1700nm | |||
| 光敏区域直径 | 500um | 200um | ||
| 响应度 | 0.9A/W @ 1550nm (M = 1) | |||
| 带宽a | DC-10MHz | DC-50MHz | DC-200MHz | DC-400MHz |
| 上升时间a | 40ns | 8ns | 2ns | 1ns |
| 增益b | 1.0x107V/W | 2.0x106V/W | 8.0x105V/W | 3.6x105V/W |
| 饱和光功率 | 0.32uW | 1.6uW | 4.0uW | 8.3uW |
| 噪声电压a | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp | 20mVpp |
| 最大输出电压b | 3.2V | 3.2V | 3.2V | 3.2V |
| 噪声等效功率 | 0.13pW/√Hz | 0.24pW/√Hz | 0.42pW/√Hz | 0.94pW/√Hz |
| 探测器公共参数 | 典型值 |
|---|---|
| 工作电压 | 9V |
| 工作电流 | <200mA |
| 输出阻抗 | 50Ω |
| 输出耦合方式 | DC |
| 输出接头 | SMA female |
| 工作温度 | -10~65℃ |
| 存储温度 | -40~85℃ |
备注:
a 对于50Ω负载
b 对于高阻负载
探测器型号命名规范:探测器系列-带宽-T-SM1-ADJ
例:
APD430A-50M-T,则表示使用结构为30mm笼式结构。
APD430A-50M-T-SM1,则表示使用结构为SM1外螺纹结构。
APD430A-50M-T-SM1-ADJ,则表示使用结构SM1外螺纹可调增益结构。
| 序号 | 物资名称 | 数量 | 单位 | 备注 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 光电探测器 | 1 | 个 | |
| 2 | 电源适配器 | 1 | 个 | 9V |
| 3 | SMA转BNC射频线 | 1 | 根 |
| 选型描述 | 备注 | 链接 |
|---|---|---|
| 800-1700nm光纤输入的光电探测器 | 光纤输入 | 查看 |
| 800-1700nm的空间光输入光电探测器 | 空间光输入 | 查看 |
| 400-1100nm光纤输入硅光电探测器 | 光纤输入 | 查看 |
| 400-1100nm空间光输入硅光电探测器 | 空间光输入 | 查看 |
| 1G带宽以上的光电探测器 | 1G带宽以上 | 查看 |