InGaAs材料的APD雪崩光电探测器,光敏面200um 相应波长950-1700nm 1550nm峰值,裸片die 或 TO封装。
该款探测芯片类型为APD,光敏直接500um,材料InGaAs,波长950-1700nm,可TO46封装;适合用于激光雷达,距离测量,弱光探测等场景。