InGaAs Φ1000μm APD光电二极管

型号：GYAPD1000V1，响应波长：950-1700nm，InGaAs Φ1000μm APD光电探测器芯片

参数名称 Parameter	符号 Symbol	最小 Min.	最大 Max.	单位 Unit
APD 偏置电压 APD voltage supply	VPD	——	VBR	V
工作温度 Operating Temperature	TC	-40	+85	⁰C
贮存温度 Storage Temperature	TSTG	-55	+125	⁰C
正向电流 Forward Current	IF	——	5	mA
反向电流 Reverse Current	IR	——	3	mA

特性参数 Parameter	符号 Symbol	测试条件 Test Condition	最小 Min.	典型 Typ.	最大 Max.	单位 Unit
光谱响应范围 Response Spectrum	λ	——	950 ~ 1700			nm
响应度 Responsivity	Re	λ=1550nm Pin=1 μW, M=1	0.70	——	——	A/W
倍增因子 Multiplication factor	M	λ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-3	10.00	——	——	——
倍增因子 Multiplication factor	M	λ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-2	20.00	——	——	——
倍增因子 Multiplication factor	M	λ=1550nm Pin=1 μW, VR=VBR-1	30.00	——	——	——
暗电流 Dark Current	Id	VR=VBR-3, Pin=0μW	——	80.00	150.00	nA
-3dB 截止频率 -3dB cut-off frequency	BW	M=10 RL=50Ω	0.09	0.25	——	GHz
反向击穿电压 Reverse Breakdown Voltage	VBR	IR =10μA, Pin=0μW	40.00	——	60.00	V
电容 Capacitance	C	VR=VBR-3, f=1MHz	——	20.00	30.00	pF
击穿电压温度系数 Temperature coefficient of VBR	γ	R=10μA, Pin=0μW -55℃～+85℃	0.12	0.15	0.18	V/℃